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  • 可靠性試驗芯片失效分析的主要步驟和內(nèi)容 1.芯片開封:去除IC封膠,同時保持芯片功能的完整無損,保持die,bondpads,bondwires乃至lead-frame不受損傷,為下一步芯片失效分析試驗做準備。 2.SEM掃描電鏡/EDX成分分析:包括材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察、元素組
  • 芯片封裝的可靠性試驗失效分析 失效的分類 在電子元器件的失效物理與失效分析中,常用的失效類型有以下幾種: 1.從失效率浴盆曲線區(qū)分 在大量電子元器件的使用及試驗中,獲得了大量失效率(t)(元器件在t時刻尚未失效,在t時刻后的單位時間內(nèi)發(fā)生失效的概率)
  • 的數(shù)據(jù)分析與處理 可靠性試驗的數(shù)據(jù)分析方法 可靠性試驗的數(shù)據(jù)分析的基礎(chǔ)就是產(chǎn)品壽命分布函數(shù)及參量之間的關(guān)系。例如故障與應(yīng)力(電、熱、振動、溫度等)的對應(yīng)關(guān)系;故障與產(chǎn)品早期性能變化的規(guī)律等,這些包含有兩個變量的數(shù)據(jù),在分析時就可用相關(guān)及回歸
  • 試驗方案的參數(shù)環(huán)境條件及應(yīng)力的確定 環(huán)境條件及應(yīng)力的確定 根據(jù)使用方向生產(chǎn)方提供的電子設(shè)備產(chǎn)品任務(wù)書或供需雙方簽訂的合同,搞清電子設(shè)備產(chǎn)品在工作時所處的環(huán)境條件及給予它的應(yīng)力。如果無特殊要求,應(yīng)按電子設(shè)備產(chǎn)品總技術(shù)條件要求,在試驗室模擬進行
  • 試驗類型的選擇 1.老產(chǎn)品已生產(chǎn)多年,未進行可靠性設(shè)計,現(xiàn)產(chǎn)品的生命力較強,需要繼續(xù)生產(chǎn),可選擇可靠性測定試驗,測出設(shè)備的MTBF驗證值,同時根據(jù)暴露的問題采取措施,提高產(chǎn)品的可靠性。 2.新產(chǎn)品處于設(shè)計試制階段,可通過可靠性試驗暴露產(chǎn)品中的薄弱
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