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可靠性試驗(yàn)失效分析中的破壞性物理分析和顯微分析方法 集成電路產(chǎn)的另外一個(gè)名字是微電子。從這點(diǎn)可以看出集成電路是在很小的尺寸上進(jìn)行產(chǎn)生的。短短十年之間，微電子器件的尺寸從原來的微米量級逐步縮小，到亞微米，深亞微米，再到今天的納米量級。隨之變化

可靠性試驗(yàn)封裝失效分析的流程 為了提高微電子產(chǎn)品的可靠性，就應(yīng)研究生產(chǎn)封裝失效的原因。通過失效模式的確定，深入分析失效的機(jī)理，討論并提出防止失效的方法。所以失效分析的一般路程： 1．?dāng)?shù)據(jù)的收集與分析。在完成現(xiàn)場失效數(shù)據(jù)收集報(bào)告和使用者報(bào)告后，

可靠性試驗(yàn)芯片失效分析的主要步驟和內(nèi)容 1．芯片開封：去除IC封膠，同時(shí)保持芯片功能的完整無損，保持die，bondpads，bondwires乃至lead-frame不受損傷，為下一步芯片失效分析試驗(yàn)做準(zhǔn)備。 2．SEM掃描電鏡/EDX成分分析：包括材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察、元素組

芯片封裝的可靠性試驗(yàn)失效分析 失效的分類 在電子元器件的失效物理與失效分析中，常用的失效類型有以下幾種： 1．從失效率浴盆曲線區(qū)分 在大量電子元器件的使用及試驗(yàn)中，獲得了大量失效率(t)(元器件在t時(shí)刻尚未失效，在t時(shí)刻后的單位時(shí)間內(nèi)發(fā)生失效的概率)

的數(shù)據(jù)分析與處理 可靠性試驗(yàn)的數(shù)據(jù)分析方法 可靠性試驗(yàn)的數(shù)據(jù)分析的基礎(chǔ)就是產(chǎn)品壽命分布函數(shù)及參量之間的關(guān)系。例如故障與應(yīng)力（電、熱、振動、溫度等）的對應(yīng)關(guān)系；故障與產(chǎn)品早期性能變化的規(guī)律等，這些包含有兩個(gè)變量的數(shù)據(jù)，在分析時(shí)就可用相關(guān)及回歸